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Annexe - En savoir plus sur les transistors à effet de champ :

 

commande en tension (contrairement aux transistors bipolaires qui sont commandés en courant)
Figure 1 : comparaison des commandes des transistors bipolaires et à effet de champ.
grande impédance d'entrée (pratiquement aucun courant ne rentre dans la gate), ce qui en pratique simplifie l'étage de puissance, puisque le driver en courant n'est plus nécessaire)
grande linéarité (la caractéristique ID = f(VGS) est une droite au delà d'un certain seuil de VGS)


Figure 3 : courant de drain en fonction de la tension gate source

coefficient de température négatif. cela signifie que pour une tension VGS donnée, quand la température augmente, le ourant de drain ID diminue, d'où une diminution de la température. Il s'agit d'une contre-réaction naturelle qui protège le transistor d'un emballement thermique. D'où en pratique la suppression de la compensation de température des transistors de sortie.
Figure 5 : compensation en température : inutile pour les transistors FET
En examinant la caractéristique ID = f(VDS), on remarque que le courant de drain ID est constant au delà d'une certaine valeur (coude) et que pour un fonctionnement linéaire et en particulier en classe A, il faut se situer au-delà. Il faut donc polariser le transistor avec une valeur de tension VDS suffisante (cf. Fig 2)

Figure 2 : caractéristiques comparées des FET et bipolaires

 

L'exemple théorique ci-dessous illustre cette simplicité de conception liée aux caractéristiques des FET. Il s'agit d'un montage proposé par Hitachi au début des transistors à effet de champ afin d'illustrer les possibilités de ses propres transistors. Hitachi fabriquait de la HIFI assez réputée à l'époque.

 
Figure 9 : exemple pratique publié par Hitachi dans les années 80, image de son savoir faire.

 

Le schéma est d'un classicisme convenu, avec un étage d'entrée amplificateur de tension (Q1, Q2, Q4, Q5), constitué de deux différentiels en cascade. Q3 est un générateur de courant qui associé au potentiomètre R12, permet d'ajuster le courant de repos de l'étage de sortie, nécessaire à un fonctionnement linéaire, comme vu dans le dernier point ci-dessus.

Les simplifications apportées par rapport à un schéma équivalent en bipolaire sont :

 

absence d'étage driver en courant
absence de compensation thermique de l'étage de sortie
attaque directe des transistors de sortie

 

Il faut noter que la compensation en fréquence est constituée de C5 et est du type post-compensation que l'on souhaite éviter. C'est sans doute le seul point faible de cet ampli qui voit sa bande passante en boucle ouverte limitée et donc son temps de monté réduit.

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